Айпод нано 1. Apple заменит iPod Nano первого поколения
07.08.2012
Сравнение четырех комплектов памяти для разгона.
За пять лет эволюции DDR3-памяти вышло уже несколько поколений продуктов, нацеленных на энтузиастов, стремящихся добиться максимальной производительности. Перед тем как приступать к рассмотрению возможностей современных модулей, давайте вспомним, как происходила эта эволюция.
Чтобы было понятно, о чем речь, приведем базовые понятия.
Частота работы памяти . Измеряется количеством тактов в секунду. Это основная характеристика, определяющая пропускную способность памяти.
Тайминги . Проще говоря, это задержки, необходимые для выполнения той или иной операции. Формула основных таймингов выглядит как CL-tRCD-tRP-tRAS-Command Rate, где CL (Cas Latency) – минимальное количество тактов между подачей команды на чтение данных и непосредственно началом чтения данных. Если рассмотреть память как двумерный массив, то tRCD (RAS to CAS delay) – это минимальное количество тактов между подачей сигнала на выбор строки и сигнала на выбор столбца. tRP (Row Precharge) - минимальное время закрытия строки, после чего можно активировать новую строку банка. tRAS (Row Active Time) - минимальное время активности строки. Command Rate - минимальное время между подачей двух команд.
Чем выше частота работа памяти и чем ниже значения таймингов, тем производительнее память. Также стоит понять, что задержки измеряются в количестве необходимых для операции тактов, а частота работы есть не что иное, как количество тактов в секунду, т. е. при росте частоты временные значения таймингов уменьшаются. Именно поэтому повышение частоты сопряжено с необходимостью увеличивать значения таймингов.
А теперь о том, какие микросхемы были наиболее популярны в различные временные отрезки.
1. Изначально в продаже появилась память DDR3 на базе микросхем плотностью 512 Мбит, что давало объем 512 Мбайт для односторонних и 1 Гбайт для двусторонних модулей. Это было в 2008 г., и в основном энтузиасты ценили память на базе микросхем Micron D9GTR. Главное, что их отличало, – возможность работать с таймингами вида 6-5-5 при частотах вплоть до 1800 МГц или 7-6-6 при частотах вплоть до 2 ГГц. Кроме того, к особенностям можно отнести линейную зависимость результатов разгона от используемых напряжений, которые поднимались вплоть до значений 2,2--2,3 В. Данные микросхемы отошли на второй план с появлением платформы LGA 1156, где высокие напряжения питания памяти были критичными и могли приводить к деградации процессоров.
2. В конце 2009 г. начали массово появляться модули памяти на базе микросхем с плотностью в 1 Мбит, что позволило удвоить емкость модулей. Здесь пальму первенства перехватили микросхемы производства Elpida, а именно, Elpida MNH-E Hyper. Данные микросхемы позволили работать с частотами вплоть до 2200 МГц при агрессивных таймингах (вплоть до 7-8-7) и сравнительно небольших напряжениях. Интересно, что почти сразу после начала выпуска микросхем MNH-E массово появились случаи деградации памяти и ее выхода из строя. Эта проблема была разрешена выпуском обновленной версии микросхем, которую назвали MGH-E.
Дальнейший прогресс и снижение цен на память сделали популярными микросхемы «с неровными» сочетаниями таймингов, в основном, требующие завышения значения TRCD на две-три единицы относительно CAS и TRP. Здесь отличились Elpida BDBG и Elpida BBSE, а также несколько поколений микросхем Powerchip. Особенностью данной памяти является возможность работать на частотах 2200--2400 МГц при низких напряжениях и не слишком высоких таймингах. При этом прогресс не стоит на месте, и если раньше 2200 МГц достигались при таймингах вида 8-10-8 или 8-11-8, то сейчас особенно удачные модули могут обеспечивать и 2300--2400 МГц при 7-10-7/7-11-7. Данная память популярна и по сей день, микросхемы Powerchip и Elpida BBSE до сих пор являются основой всех «оверклокерских» двусторонних модулей объемом 2 Гбайт. Следует отметить, что с выходом процессоров Intel Sandy Bridge из-за плохой совместимости вышла из моды память на базе MGH-E.
3. 2011 г. ознаменовался началом массового выпуска памяти на базе микросхем плотностью 2 Мбит. Наиболее популярными стали модули, имеющие объем 4 Гбайт. Здесь выбор микросхем невелик, наиболее распространенной стала продукция производства Samsung и Hynix. В способностях использовать агрессивные значения таймингов данная память уступает микросхемам плотностью 1 Мбит, но превосходит их в умении работать на высоких частотах. Кроме того, особенностью этой памяти является работоспособность при низких напряжениях. В общем, микросхемы Samsung предпочтительнее в диапазоне частот до 2400 МГц, в то время как на микросхемах Hynix уже встречается память, штатно функционирующая на частоте 2800 МГц. Один из таких комплектов даже будет участвовать в данном тестировании. А еще среди модулей объемом 4 Гбайт следует отметить микросхемы Micron D9PFJ, способные разгоняться на уровне старых D9GTR. Причем для хорошего разгона требуется напряжение питания около 2 В. Также данная память независимо от таймингов «упирается» в частоту 2150--2200 МГц. В настоящее время начинают появляться микросхемы плотностью 4 Мбит, однако они пока не отличаются высоким частотным потенциалом.
В нашем тестировании будут участвовать четыре современных комплекта высокочастотной памяти, а именно два 2-Гбайт Kingmax Hercules Nano DDR3-2400 на базе микросхем Powerchip, два 4-Гбайт G.Skill Trident X DDR3-2400, два 4-Гбайт Corsair Dominator GT DDR3-2133 на основе микросхем Samsung и два 2-Гбайт Kingston HyperX DDR3-2800, построенных на микросхемах Hynix.
Тестовый стенд и методика тестирования
Для изучения частотного потенциала были выбраны платформа AM3+, системная плата Asus M5A99X Evo и процессор AMD FX-8150. Как выяснилось в процессе тестирования, максимальная частота работы памяти, доступная связке «системная плата - процессор», оказалась на уровне 2637 МГц. Это недотягивает до максимальных способностей комплекта Kingston, но все же перекрывает весь диапазон «потребительских» частот, достижимых с процессорами, не подвергающимися селекции.
Проверка частотного потенциала производилась для трех значений напряжения питания: 1,5 В – стандартное значение напряжения питания памяти, установленное спецификациями JEDEC; 1,65 В – значение напряжения большинства «оверклокерских» комплектов памяти; и 1,8 В – значение, близкое к предельно допустимому для современной памяти типа DDR3. В качестве теста стабильности был применен Prime95 в режиме Blend, наиболее быстро выявляющий нестабильность в работе ОЗУ. Проверка на стабильность производилась в течение 5--10 мин.
Kingmax FLLE85F-B8KJ9A FEIS
Данный комплект не имеет радиаторов системы охлаждения, однако, по заверениям Kingmax, на микросхемах используется специальное напыление, существенно улучшающее отвод тепла. Верить производителю или нет, вопрос спорный. На мой взгляд, достаточно одного факта – на модулях имеются наклейки с характеристиками, которые перекрывают сразу по три микросхемы. Следовательно, тепло от них не отводится вовсе. Однако микросхемы Powerchip горячим нравом не отличаются, и если не «жарить» их напряжениями 1,8 В+, то и проблем возникать не должно.
.jpg)
Упрощенно, многие считают оптимальной формулу таймингов вида X (X+3) X, т. е. когда CL=TRP, а значение TRCD завышено на три единицы. На самом же деле, проблема разгона Powerchip кроется не в наличии оптимальных или неоптимальных формул таймингов, а в различном частотном потенциале памяти для каждого из них. К примеру, зависимость CL от напряжения в диапазоне от 1,5 до 1,8--1,85 будет линейная, и удачные модули характеризуются значением частоты 1400 МГц/В для CL7, т. е. от приблизительно 2100 МГц при 1,5 В до примерно 2500 МГц при 1,8 В. Частотный потенциал по TRCD с ростом напряжения обычно изменяется не так сильно, как в случае с CL, и для разных частот нужны разные значения. Так, для CL равного 9 в зависимости от удачливости комплекта доступны частоты 1950--2100 МГц, для 10 - частоты 2200--2350 МГц и для 11 - частоты 2400--2600 МГц. А если разгон упирается в CL или TRCD, то наблюдается минимальная разница между частотой стабильной работы и максимальной «скриншотной» частотой. Особняком стоит тайминг TRP, который на удачных комплектах можно держать на одинаковом с CL значении вплоть до частот 2600 МГц+. В случае же с неудачными модулями TRP приходится завышать на одну или даже две единицы. Если же разгон ограничивается значением TRP, то появляется очень большая разница между значением «скриншотной» частоты и частоты полностью стабильной работы, иногда достигающая даже 500 МГц.
.jpg)
.jpg)
Как видно на графике, в комплект Kingmax попали не слишком удачные микросхемы, иначе говоря, просто не повезло. Если оценивать разгон по CL, то показатели в целом неплохие, ведь в итоге с CL7 удалось достичь частоты работы памяти 2360 МГц. В то же время комплект оказался неудачным по значению TRCD и еще более неудачным по значению TRP, что показали результаты при таймингах вида 7-10-8, 7-11-8 и 7-11-9. Интересно отметить, что при таймингах вида 7-11-7 и напряжении питания 1,65 В частота стабильной работы составляет всего 1967 МГц, в то время как Windows можно загрузить и при частоте работы памяти 2400 МГц. Реакция на недостаточное значение TRP проявляется в полной мере. Также показателен режим 7-10-8, демонстрирующий, что память не любит высоких напряжений, когда разгон ограничивается значением TRCD.
При «родных» для комплекта таймингах 9-11-9 видно, что частотный потенциал памяти падает при росте напряжения свыше 1,65 В, что свидетельствует о слишком низком значении TRCD. К слову, свои штатные 2400 МГц память способна взять при напряжении питания 1,65 В, но не сможет при напряжении питания 1,7 В, штатном для модулей. Следовательно, при установках согласно штатным характеристикам память нестабильна. Интересно, что разгон модулей при таймингах 8-11-9 и 7-11-9 совпадает, и от CL8 есть хоть какая-то польза лишь при таймингах 8-12-10. Также минимален прирост частоты при переходе на CL9/CL10/CL11, а максимальной достигнутой частотой является 2480 МГц.
Kingston KHX2800C12D3T1K2/4GX
Эта память оснащена высокими радиаторами, и хотя микросхемы расположены лишь с одной стороны модуля, они закрывают модуль с обеих сторон.
.jpg)
Если учитывать холодный характер современной памяти, то такие радиаторы представляют собой, скорее, декоративное решение, способное привести к проблемам совместимости с крупными процессорными охладителями. Используются микросхемы производства Hynix, которые, в отличие от Powerchip, ведут себя куда более предсказуемо и логично. Для наиболее полного раскрытия частотного потенциала памяти на микросхемах Hynix используется формула таймингов вида X (X+2) (X+1), т. е. когда TRCD завышен относительно CL на две единицы, а TRP - на одну. Кроме того, одной из особенностей памяти, основанной на микросхемах Hynix, является слабый отклик на увеличение напряжения питания свыше 1,65 В.
.jpg)
Результаты разгона для микросхем Hynix неплохие, комплект относительно удачный. Об этом свидетельствует возможность работать при таймингах 9-11-10 на частотах вплоть до 2312 МГц. При таймингах вида 12-14-13 и выше ограничивает разгон связка «процессор - системная плата».
G.Skill F3-2400C10D-8GTX
Как и в случае с модулями Kingston, комплект G.Skill, несмотря на низкое тепловыделение микросхем, оснащен высокими радиаторами.
.jpg)
Используются микросхемы Samsung, максимально предсказуемые при разгоне, как и в случае с Hynix. Они имеют оптимальные формулы таймингов. Но, в отличие от Hynix, для микросхем Samsung используется две различные формулы таймингов: X (X+1) (X+1), оптимальные при низких напряжениях, и X (X+2) (X+2), оптимальные при высоких.
.jpg)
Как видно из графика, в диапазоне частот 2000--2500 МГц более предпочтительна память на базе микросхем компании Samsung, нежели на микросхемах Hynix, поскольку она позволяет достигать тех же частот при меньших значениях таймингов, особенно если рассматривать режимы работы с низкими напряжениями. А вот после 2500 МГц память на микросхемах Samsung уже не слишком хороша. Дальнейшее увеличение таймингов не привело бы к значительному росту частотного потенциала, даже если бы разгон не сдерживался используемой платформой. Помимо того, следует отметить наличие запаса по частоте, превышающего 100 МГц, при использовании штатных характеристик (10-12-12, 1,65 В), что является редкостью для «оверклокерской» памяти.
Corsair CMT8GX3M2B2133C9
Если у Kingston и G.Skill все же имеются высокие радиаторы, то в Corsair пошли еще дальше, обеспечив модули памяти активным охлаждением с омощью
двух вентиляторов.
..jpg)
Понятно, что пользы от этого никакой (особенно с учетом штатного напряжения памяти в 1,5 В), зато внешний вид модулей самый грозный. К слову, о внешнем виде. На этикетке с характеристиками указана формула таймингов 9-11-9, хотя в XMP-профиле написана формула 9-11-10. Разумеется, при 2133 МГц и 9-11-9 память даже не стартует. Как и в случае с комплектом G.Skill, используются микросхемы Samsung, так что от модулей можно ожидать схожего поведения.
.jpg)
Данный комплект чуть более удачный, чем G.Skill, хотя с увеличением напряжений и таймингов разница все же стирается. Основное превосходство комплекта Corsair проявляется при таймингах 8-9-9 и 8-10-10. Кстати, частотный потенциал памяти при штатных таймингах (9-11-10) совпадает с потенциалом памяти при 9-10-10. Следовательно запас по частоте со штатными характеристиками превышает 100 МГц.
Тестирование производительности
Для исследования производительности мы использовали следующие тесты: wPrime 1.55 (режимы 32M и 1024М), Super Pi 1.5 (режим 1M), WinRar (встроенный тест производительности), 7-Zip (встроенный тест производительности), Cinebench R10 (тест CPU), Cinebench R11.5 (тест CPU) и тесты памяти из программного комплекса Aida64.
Базовые настройки системы:
частота работы процессора - 4503 МГц (19x237), контроллера памяти - 2607 МГц.
Тестирование производилось для частот работы памяти 2528, 2212 и 1896 МГц при минимально доступных для каждого из комплектов памяти таймингах. Показатели комплектов Corsair и G.Skill объединены, ибо результаты их разгона практически идентичны. Память Kingmax тестировалась только при частотах 2212 и 1896 МГц, поскольку работать при частоте 2528 МГц не способна.
По результатам измерений производительности прежде всего выделяется комплект Kingmax. Несмотря на свое невезение с одним конкретным модулем, он лидирует в большинстве тестов. Память на базе микросхем Samsung и Hynix показала приблизительно одинаковые результаты. Однако следует отметить провал комплекта Kingston в тесте производительности WinRar. Это, скорее всего, было обусловлено односторонней компоновкой модулей с восемью микросхемами, а не с шестнадцатью, как у всех остальных участников тестирования.
.jpg)
.jpg)
Итоги
Пока еще пальма первенства в тестах производительности остается за памятью на микросхемах плотностью 1 Мбит. Однако за более высокий частотный потенциал при агрессивных значениях таймингов зачастую приходится расплачиваться непредсказуемостью поведения модулей, а также отсутствием каких-либо универсальных формул таймингов. Полной противоположностью можно назвать память на основе микросхем Samsung и Hynix. Разгонять их несложно, память максимально предсказуема, однако предельные возможности данной памяти все же выше. Если выбирать между Hynix и Samsung, то в большинстве случаев предпочтительнее будет выглядеть память на базе микросхем Samsung, т.е. среди испытуемых комплектов - Corsair и G.Skill.
Мы уже рассказывали о том, как разгонять процессоры и видеокарты. Еще один компонент, достаточно ощутимо влияющий на производительность отдельно взятого компьютера, - оперативная память. Форсирование и тонкая настройка режима работы ОЗУ позволяют повысить быстродействие ПК в среднем на 5-10%. Если подобный прирост достигается без каких-либо денежных вложений и не влечет риски для стабильности системы - почему бы не попробовать? Однако начав готовить данный материал, мы пришли к выводам о том, что описания собственно процесса разгона будет недостаточно. Понять, почему и для чего надо изменять определенные настройки работы модулей, можно, лишь вникнув в суть работы подсистемы памяти компьютера. Потому в первой части материала мы кратко рассмотрим общие принципы функционирования ОЗУ. Во второй приведены основные советы, которых следует придерживаться начинающим оверклокерам при разгоне подсистемы памяти.
Основные принципы функционирования оперативной памяти одинаковы для модулей разных типов. Ведущий разработчик стандартов полупроводниковой индустрии JEDEC предоставляет возможность каждому желающему ознакомиться с открытыми документами, посвященными этой тематике. Мы же постараемся кратко объяснить базовые понятия.
Итак, оперативная память - это матрица, состоящая из массивов, именуемых банками памяти. Они формируют так называемые информационные страницы. Банк памяти напоминает таблицу, каждая ячейка которой имеет координаты по вертикали (Column) и горизонтали (Row). Ячейки памяти представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные. Сигнальные цепи модулей обеспечивают подзарядку конденсаторов и запись/считывание информации.
Алгоритм работы динамической памяти можно описать такой последовательностью:
- Выбирается чип, с которым будет осуществляться работа (команда Chip Select, CS). Электрическим сигналом проводится активация выбранной строки (Row Activate Selection). Данные попадают на усилители и могут быть считаны определенное время. Эта операция в англоязычной литературе называется Activate.
- Данные считываются из соответствующей колонки/записываются в нее (операции Read/Write). Выбор колонок проводится командой CAS (Column Activate Selection).
- Пока строка, на которую подан сигнал, остается активной, возможно считывание/запись соответствующих ей ячеек памяти.
- При чтении данных - зарядов конденсаторов - их емкость теряется, поэтому требуется подзарядка или закрытие строки с записью информации в массив памяти (Precharge).
- Конденсаторы-ячейки со временем теряют свою емкость и требуют постоянной подзарядки. Эта операция - Refresh - выполняется регулярно через отдельные промежутки (64 мс) для каждой строки массива памяти.
На выполнение операций, происходящих внутри оперативной памяти, уходит некоторое время. Именно его и принято называть таким знакомым словом «тайминги» (от англ. time). Следовательно, тайминги - временные промежутки, необходимые для выполнения тех или иных операций, осуществляющихся в работе ОЗУ.
Схема таймингов, указываемых на стикерах модулей памяти, включает в себя лишь основные задержки CL-tRCD-tRP-tRAS (CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Cycle Time (или Active to Precharge)). Все остальные, в меньшей мере оказывающие влияние на скорость работы ОЗУ, принято называть субтаймингами, дополнительными или второстепенными таймингами.
Приводим расшифровку основных задержек, возникающих при функционировании модулей памяти:
CAS Latency (CL) - пожалуй, самый важный параметр. Определяет минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).
RAS to CAS Delay (tRCD) определяет интервал времени между подачей команд RAS и CAS. Обозначает число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель.
RAS Precharge (tRP) - время, уходящее на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.
Row Active Time (tRAS) - временной промежуток, на протяжении которого банк остается открытым и не требует перезарядки.
Command Rate 1/2T (CR) - время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. При значении 1T команда распознается за один такт, при 2T - за два.
Bank Cycle Time (tRC, tRAS/tRC) - время полного такта доступа к банку памяти, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с tRAS.
DRAM Idle Timer - время простоя открытой информационной страницы для чтения данных с нее.
Row to Column (Read/Write) (tRCD, tRCDWr, tRCDRd) напрямую связан с параметром RAS to CAS Delay (tRCD). Вычисляется по формуле tRCD(Wr/Rd) = RAS to CAS Delay + Rd/Wr Command Delay. Второе слагаемое - величина нерегулируемая, определяет задержку на выполнение записи/чтения данных.
Пожалуй, это базовый набор таймингов, зачастую доступный для изменения в BIOS материнских плат. Расшифровку остальных задержек, как и детальное описание принципов работы и определение влияния тех или иных параметров на функционирование ОЗУ можно найти в спецификациях уже упомянутой нами JEDEC, а также в открытых datasheet производителей наборов системной логики.
| Тип памяти | Рейтинг | Реальная частота работы памяти, МГц | Эффективная частота работы памяти (DDR, Double Data Rate), МГц |
| DDR | PC 2100 | 133 | 266 |
| PC 2700 | 167 | 333 | |
| PC 3200 | 200 | 400 | |
| ЗС 3500 | 217 | 434 | |
| PC 4000 | 250 | 500 | |
| PC 4300 | 266 | 533 | |
| DDR2 | PC2 4300 | 266 | 533 |
| PC2 5400 | 333 | 667 | |
| PC2 6400 | 400 | 800 | |
| PC2 8000 | 500 | 1000 | |
| PC2 8500 | 533 | 1066 | |
| PC2 9600 | 600 | 1200 | |
| PC2 10 400 | 650 | 1300 | |
| DDR3 | PC3 8500 | 533 | 1066 |
| PC3 10 600 | 617,5 | 1333 | |
| PC3 11 000 | 687,5 | 1375 | |
| PC3 12 800 | 800 | 1600 | |
| PC3 13 000 | 812,5 | 1625 | |
| PC3 14 400 | 900 | 1800 | |
| PC3 15 000 | 933 | 1866 | |
| Отметим, что числовое обозначение рейтинга в данном случае согласно спецификациям JEDEC указывает на скорость в миллионах передач в секунду через один вывод данных. Что касается быстродействия и условных обозначений, то вместо эффективной частоты работы правильнее говорить, что скорость передачи данных в два раза больше тактовой частоты модуля (данные передаются по двум фронтам сигналов тактового генератора). |
|||
Основные тайминги памяти
Объяснение одного из таймингов tRP (Read to Precharge, RAS Precharge) с помощью типичной схемы в datasheet от JEDEC. Расшифровка подписей: CK и CK - тактовые сигналы передачи данных, инвертированные один относительно другого (Differential Clock); COMMAND - команды, поступающие на ячейки памяти; READ - операция чтения; NOP - команды отсутствуют; PRE - подзарядка конденсаторов - ячеек памяти; ACT - операция активации строки; ADDRESS - адресация данных к банкам памяти; DQS - шина данных (Data Strobe); DQ - шина ввода-вывода данных (Data Bus: Input/Output); CL - CAS Latency в данном случае равен двум тактам; DO n - считывание данных со строки n. Один такт - временной промежуток, необходимый для возврата сигналов передачи данных CK и CK в начальное положение, зафиксированное в определенный момент.
 |
Упрощенная блок-схема, объясняющая основы работы памяти стандарта DDR2. Она создана с целью демонстрации возможных состояний транзисторов и команд, которые их контролируют. Как видите, чтобы разобраться в столь «простой» схеме, потребуется не один час изучения основ работы ОЗУ (мы уже не говорим о понимании всех процессов, происходящих внутри чипов памяти).
Основы разгона оперативной памяти
Быстродействие ОЗУ в первую очередь определяют два показателя: частота работы и тайминги. Какой из них окажет большее влияние на производительность ПК, следует выяснять индивидуально, однако для разгона подсистемы памяти нужно использовать оба пути. На что же способны ваши модули? С достаточно высокой долей вероятности поведение плашек можно спрогнозировать, определив названия используемых в них чипов. Наиболее удачные оверклокерские микросхемы стандарта DDR - Samsung TCCD, UCCC, Winbond BH-5, CH-5; DDR2 - Micron D9xxx; DDR3 - Micron D9GTR. Впрочем, итоговые результаты будут зависеть и от типа РСВ, системы, в которой установлены модули, умения владельца разгонять память и просто от удачи при выборе экземпляров.
Пожалуй, первый шаг, который делают новички, - повышение рабочей частоты ОЗУ. Она всегда привязана к FSB процессора и выставляется с помощью так называемых делителей в BIOS платы. Последние могут выражаться в дробном виде (1:1, 1:1,5), в процентном выражении (50%, 75%, 120%), в режимах работы (DDR-333, DDR2-667). При разгоне процессора путем увеличения FSB автоматически возрастает частота работы памяти. К примеру, если мы использовали повышающий делитель 1:1,5, то при изменении частоты шины с 333 до 400 МГц (типично для форсирования Core 2 Duo) частота памяти поднимется с 500 МГц (333×1,5) до 600 МГц (400×1,5). Поэтому, форсируя ПК, следите, не является ли камнем преткновения предел стабильной работы оперативной памяти.
Следующий шаг - подбор основных, а затем дополнительных таймингов. Их можно выставлять в BIOS материнской платы или же изменять специализированными утилитами на лету в ОС. Пожалуй, самая универсальная программа - MemSet, однако владельцам систем на базе процессоров AMD Athlon 64 (K8) очень пригодится A64Tweaker. Прирост производительности можно получить лишь путем понижения задержек: в первую очередь CAS Latency (CL), а затем RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Active to Precharge (tRAS). Именно их в сокращенном виде CL4-5-4-12 указывают изготовители модулей памяти на стикерах продуктов. Уже после настройки основных таймингов можно переходить к понижению дополнительных.
 |
Модули стандартов: a) DDR2; b) DDR; c) SD-RAM.
|
На результаты разгона оперативной памяти значительное влияние оказывает увеличение напряжения питания плашек. Безопасный для длительной эксплуатации предел зачастую превышает заявленные производителями значения на 10-20%, однако в каждом случае подбирается индивидуально с учетом специфики чипов. Для наиболее распространенной DDR2 рабочее напряжение зачастую равно 1,8 В. Его без особого риска можно поднять до 2-2,1 В при условии, что это влечет за собой улучшение результатов разгона. Впрочем, для оверклокерских модулей, использующих чипы Micron D9, производители заявляют штатное напряжение питания на уровне 2,3-2,4 В. Превышать эти значения рекомендуется только для кратковременных бенчинг-сессий, когда важен каждый дополнительный мегагерц частоты. Отметим, что при длительной эксплуатации памяти при напряжениях питания, отличающихся от безопасных для используемых чипов значений, возможна так называемая деградация модулей ОЗУ. Под этим термином понимают снижение разгонного потенциала модулей со временем (вплоть до неспособности работать в штатных режимах) и полного выхода плашек из строя. На деградационные процессы особо не влияет качество охлаждения модулей - даже холодные чипы могут быть им подвержены. Конечно, есть и примеры длительного успешного использования ОЗУ при высоких напряжениях, но помните: все операции при форсировании системы вы проводите на свой страх и риск. Не переусердствуйте.
Прирост производительности современных ПК можно получить, используя преимущества двухканального режима (Dual Channel). Это достигается за счет увеличения ширины канала обмена данными и роста теоретической пропускной способности подсистемы памяти. Такой вариант не требует специальных знаний, навыков и тонкой настройки режимов работы ОЗУ. Для активации Dual Channel достаточно иметь два или четыре модуля одинакового объема (при этом необязательно использовать полностью идентичные плашки). Двухканальный режим включается автоматически после установки ОЗУ в соответствующие слоты материнской платы.
Все описанные манипуляции приводят к увеличению быстродействия подсистемы памяти, однако заметить прирост невооруженным глазом зачастую сложно. При хорошей настройке и ощутимом повышении частоты работы модулей можно рассчитывать на прибавку производительности порядка 10-15%. Среднестатистические показатели более низкие. Стоит ли овчинка выделки и нужно ли тратить время на игры с настройками? Если хотите детально изучить повадки ПК - почему бы и нет?
ЕРР и XMP - разгон ОЗУ для ленивых
Далеко не все пользователи изучают особенности настройки ПК на максимальное быстродействие. Именно для новичков оверклокинга ведущие компании предполагают простые способы повышения производительности компьютера.
В отношении ОЗУ все началось с технологии Enhanced Performance Profiles (EPP), представленной NVIDIA и Corsair. Материнские платы на базе nForce 680i SLI первыми предоставили максимальную функциональность в плане настройки подсистемы памяти. Суть ЕРР довольно проста: производители ОЗУ подбирают гарантированные нестандартные скоростные режимы функционирования собственных продуктов, а разработчики системных плат предоставляют возможность их активировать через BIOS. EPP - расширенный перечень настроек модулей, дополняющий базовый набор. Существует две версии ЕРР - сокращенная и полная (два и одиннадцать резервных пунктов соответственно).
| Параметр | Возможные значения для ЕРР | Поддерживается | ||
| JEDEC SPD | Сокращенный профиль ЕРР | Полный профиль ЕРР | ||
| CAS Latency | 2, 3, 4, 5, 6 | Да | Да | Да |
| Minimum Cycle time at Supported CAS | JEDEC + 1,875 нс (DDR2-1066) | Да | Да | Да |
| Minimum RAS to CAS Delay (tRCD) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Minimum Row Precharge Time (tRP) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Minimum Active to Precharge Time (tRAS) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Write Recovery Time (tWR) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Minimum Active to Active/Refresh Time (tRC) | JEDEC* | Да | Да | Да |
| Voltage Level | 1,8-2,5 В | - | Да | Да |
| Address Command Rate | 1Т, 2Т | - | Да | Да |
| Address Drive Strenght | 1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х | - | - | Да |
| Chip Select Drive Strenght | 1.0х, 1.25х, 1.5х, 2.0х | - | - | Да |
| Clock Drive Strenght | 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х | - | - | Да |
| Data Drive Strenght | 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х | - | - | Да |
| DQS Drive Strenght | 0.75х, 1.0х, 1.25х, 1.5х | - | - | Да |
| Address/ Command Fine Delay | 0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK | - | - | Да |
| Address/ Command Setup Time | 1/2, 1 MEMCLK | - | - | Да |
| Chip Select Delay | 0, 1/64, 2/64, 3/64 MEMCLK | - | - | Да |
| Chip Select Setup Time | 1/2, 1 MEMCLK | - | - | Да |
| * Диапазон значений соответствует требованиям, определенным JEDEC для модулей DDR2 | ||||
| Расширенные профили ЕРР позволяют автоматически управлять ощутимо большим количеством задержек модулей стандарта DDR2, чем базовый набор, сертифицированный JEDEC. | ||||
Дальнейшее развитие данной темы - концепция Xtreme Memory Profiles (ХМР), представленная компанией Intel. По своей сути данное новшество не отличается от ЕРР: расширенный набор настроек для ОЗУ, гарантированные производителями скоростные режимы записаны в SPD планок и при необходимости активируются в BIOS платы. Поскольку Xtreme Memory Profiles и Enhanced Performance Profiles предоставлены разными разработчиками, модули сертифицируются под их собственные наборы системной логики (на чипсетах NVIDIA или Intel). XMP, как более поздний стандарт, относится только к DDR3.
Безусловно, несложные в активации резервов ОЗУ технологии EPP и XMP пригодятся новичкам. Однако позволят ли производители модулей просто так выжать максимум из своих продуктов? Хотите еще больше? Тогда нам по пути - будем глубже вникать в суть повышения быстродействия подсистемы памяти.
Итоги
В небольшом материале сложно раскрыть все аспекты работы модулей, принципы функционирования динамической памяти вообще, показать, насколько повлияет изменение одной из настроек ОЗУ на общую производительность системы. Однако надеемся, что начало положено: тем, кто заинтересовался теоретическими вопросами, настоятельно рекомендуем изучить материалы JEDEC. Они доступны каждому желающему. На практике же опыт традиционно приходит со временем. Одна из главных целей материала - объяснение новичкам основ разгона подсистемы памяти.
Тонкая настройка работы модулей - дело довольно хлопотное, и если вам не нужна максимальная производительность, если каждый балл в тестовом приложении не решает судьбу рекорда, можно ограничиться привязкой к частоте и основным таймингам. Существенное влияние на быстродействие оказывает параметр CAS Latency (CL). Выделим также RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Cycle Time (или Active to Precharge) (tRAS) - это базовый набор, основные тайминги, всегда указываемые производителями. Обратите внимание и на опцию Command Rate (наиболее актуально для владельцев современных плат на чипсетах NVIDIA). Впрочем, не стоит забывать о балансе характеристик. Системы, использующие неодинаковые контроллеры памяти, по-разному могут реагировать на изменения параметров. Разгоняя ОЗУ, следует придерживаться общей схемы: максимальный разгон процессора при пониженной частоте модулей → предельный разгон памяти по частоте с наихудшими задержками (изменением делителей) → снижение таймингов при сохранении достигнутых частотных показателей.
Дальше - тестирование производительности (не ограничивайтесь лишь синтетическими приложениями!), затем новая процедура разгона модулей. Установите значения основных таймингов меньше на порядок (скажем, 4-4-4-12 вместо 5-5-5-15), с помощью делителей подберите максимальную частоту в таких условиях и протестируйте ПК заново. Таким образом возможно определить, что больше всего «по душе» вашему компьютеру - высокая частота работы или низкие задержки модулей. После чего переходите к тонкой настройке подсистемы памяти, поиску минимальных значений для субтаймингов, доступных для корректировки. Желаем удачи в этом нелегком деле!
19.02.2013
Несмотря на то, что оверклокерская оперативная память с отменными характеристиками, оригинальными системами охлаждения и большим разгонным потенциалом доминирует на страницах профильных изданий, в реальных продажах значительно большую долю имеют обычные, недорогие модули. Мы решили проверить, на что способны эти скромные планки DDR3 в разгоне.
После теста о влиянии частоты оперативной памяти на игровую производительность , мы невольно задумались о том, насколько оправданной может быть покупка дорогих и быстрых модулей памяти? После этого мысли ушли немного в другую сторону, и появился новый вопрос, а нельзя ли взять более доступную память и разогнать? Насколько вообще возможно повышение частоты для обычных, весьма скромных по внешнему виду, и доступных по цене решений? Чтобы ответить на все эти вопросы, мы взяли на тест четыре пары модулей памяти от разных производителей – Kingston, Silicon Power, Team, и Transcend. Самых простых и доступных, то есть тех, что выбирает большинство покупателей.
Кроме того, все больше и больше недорогих модулей памяти имеет частоту 1600 мегагерц, благодаря тому, что JEDEC одобрила этот стандарт как номинальный, а цены на более быстрые чипы памяти опустились до минимального уровня. Это породило некоторые сомнения в том, что есть какие-либо разумные доводы в пользу покупки более дорогой оверклокерской памяти с частотой 1866 мегагерц, ведь даже дешевые модули вполне могут “дотянуться” до этой частоты. А быть может им по силам и 2 гигагерца? Будем проверять. Но для начала давайте познакомимся с нашими “подследственными” в алфавитном порядке.
Kingston KVR16N11/4
Безусловно, самые оригинальные по внешнему виду модули данного теста. Как видно на фотографиях, их высота заметно ниже, чем у других модулей. Удивительно, почему другие производители не переходят на платы уменьшенной высоты, ведь по большому счету, никаких причин использовать привычные, высокие планки нет, так как они были рассчитаны на чипы памяти старого типа (TSOP), в то время как DDR3 выпускается только в корпусах BGA. Впрочем, это не дает никакого преимущества памяти Kingston, так как по характеристикам она абсолютно идентична с конкурентами. Объем модуля – 4 гигабайта, максимальная частота – 1600 мегагерц, тайминги на данной частоте – 11-11-11-28, и рабочее напряжение 1,5 вольта. Самое что ни есть стандартные и обычные на сегодняшний день характеристики. На планках установлено 16 чипов памяти емкостью 2 гигабита, собственного производства с маркировкой Kingston NO6296-01.
Отдельно отметим то, что память Kingston, в отличие от других модулей памяти в тесте поставляется в индивидуальной упаковке, и снабжено инструкцией. Насколько этот момент критичен для оперативной памяти сказать сложно, но это, безусловно, приятно, тем более, что по цене модули Kingston не отличаются от конкурентов. А учитывая эти данные, и магическое имя, годами являющиеся символом качественной и быстрой памяти, понятно, что это главный претендент на кошелек покупателя. Посмотрим, как он покажет себя в тесте.
Silicon Power SP004GBLTU160V02
Тоже отнюдь не самое неизвестное имя, но все же весьма узнаваемое. Silicon Power давно закрепил за собой солидную долю рынка бюджетной памяти, благодаря высокой надежности и действительно доступной цене. В принципе в ассортименте Silicon Power есть и решения для энтузиастов и оверклокеров под собственным именем X-Power, но они не получили большой известности, всегда оставаясь в тени “продвинутых” решений от той же Kingston, Geil, Corsair и прочих. Поэтому, если бы это был тест супер-памяти, то Silicon Power был бы на вторых ролях, но мы-то тестируем бюджетные решения, а здесь продукты этой компании явные претенденты на победу.
Впрочем, исходные характеристики модулей Silicon Power вполне стандартны. Объем 4 гигабайта, базовая частота 1600 мегагерц, тайминги 11-11-11-28,и рабочее напряжение 1,5 вольта. Как и Kingston, Silicon Power использует чипы памяти собственного производства с маркировкой S-Power 20YT5NG. Всего таких чипов 16, а емкость каждого из них равна 2 гигабитам. Никакой упаковки и комплектации к эти модулям памяти не предусмотрено.
Team Elite TED34G1600HC11BK
Компания Team относительно новый игрок на рынке оперативной памяти, и ей пока трудно бороться за покупателя с именитыми конкурентами. Впрочем, на рынке быстрых модулей к Team уже относятся достаточно серьезно, благодаря весьма приличным сериям Vulkan и Extreem. Стремясь выделить и свои бюджетные решения на фоне конкурентов, компания нашла оригинальное решение. Взгляните на фотографию. Несмотря на то, что память Team Elite стоит не дороже конкурентов, она облачена в алюминиевый радиатор. Фактически этого не требовалось, так как тепловой режим современных модулей DDR3 с частотой 1600 мегагерц более чем приемлем. Но какой эффект! Да, безусловно, любой ценитель, да и значительная часть тех, кто не совсем понимает в модулях памяти, выберет ее. Просто потому, что она выглядит солиднее, нежели конкуренты. В нашем случае радиаторы на памяти могут помочь Team Elite при разгоне, хотя эффект этот вряд ли будет сильно заметен.
К сожалению, посмотреть на чипы памяти, установленные в модулях Team Elite, нам не удалось, так как радиаторы “насмерть” приклеены к ним термоклеем. Впрочем, это не критично. К тому же все спецификации указаны на наклейке. А они вновь те же, что и у двух предыдущих моделей. Объем памяти 4 гигабайта, частота 1600 мегагерца, стандартные тайминги 11-11-11-28, и напряжение 1,5 вольта. Никакой комплектации или упаковки для модулей Team Elite производителем не предусмотрено.
Transcend 640216-4610
У модулей Transcend, равно как и у Silicon Power не удалось выявить никаких оригинальных особенностей. Все просто, скромно, и максимально экономично. Впрочем, так выглядят 90 процентов всех планок памяти данного ценового сегмента. Данная компания вообще никогда не отличалась особой оригинальностью при производстве внутренних компонентов для ПК. Ее память всегда проста и дешева, а видеокарты, которыми Transcend также когда-то занималась, были полностью референсными. Тем не менее, она является таким же полноправным претендентом на покупку, хотя и уступает по известности бренда всем конкурентам. Впрочем, как известно из истории, победить может и тот, от кого этого совсем не ждешь.
Тем более что по базовым характеристикам модули Transcend не отличаются от остальных. Частота 1600 мегагерц, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1,5 вольта, и объем 4 гигабайта. Учитывая, что сама Transcend чипы памяти не производит, совсем не удивительно было обнаружить на ее планках чипы производства компании Elpida с маркировкой J2108BDBG-GN-F. Их емкость равна 2 гигабитам, и как следствие, для достижения общего объема в 4 гигабайта их распаяно 16 штук.
Методика тестирования
Учитывая, что тестировать их на равных частотах бессмысленно, главной задачей данного теста было раскрытие скрытого потенциала с целью выявить лучший комплект модулей. Для этого мы пытались найти максимальную стабильную частоту работы при повышении напряжения до 1,65 вольта, то есть максимального безопасного уровня. Также мы попытались выяснить на каких минимальных таймингах способна работать память при своей номинальной частоте, которая для всех модулей составляет 1600 мегагерц. Ведь, как известно, базовые модули выставляются с запасом, и всегда есть вероятность получить чуть большую производительность снижая тайминги. Так же минимальных таймингов мы пытались добиться и на самой высокой достигнутой частоте.
Учитывая, что наш тестовый стенд использует процессор Intel с фиксированной частотой опорной шины, разгон памяти мы могли осуществлять только с помощью множителей, что несколько ограничило наши возможности фиксированными частотами в 1600, 1866, 2000, и 2133 мегагерца. Тем не менее, достаточно объективные данные о потенциале модулей благодаря этому мы получим. К тому же ранжировать память с одинаковой максимальной частотой должны помочь тайминги. Если при равных частотах, один из модулей сможет работать на более низких таймингах, то он, безусловно, будет более предпочтителен. Кстати, обладатели процессоров AMD, благодаря возможности регулировки частоты передней шины, имеют больше возможностей по поиску предельной частоты, и естественно смогут добиться от тех же модулей памяти большего.
Разгон
Если честно, то в глубине души мы надеялись на то, что хоть одна пара моделей достигнет заветной планки в 2000 мегагерц, но эти надежды разбились о суровую действительность. Тем не менее, назвать результаты “огорчающими” нельзя, так как три из четырех решений отлично работали на частоте 1866 мегагерц. И только модули от Transcend совершенно отказались делать этот шаг, так и оставшись на уровне 1600 мегагерц. Обидно. Тройка лучших после повышения частоты начала бороться за минимальные тайминги, чтобы выявить однозначного лидера. Им оказались модули производства Silicon Power, которые при повышенной частоте смогли стабильно работать на великолепных таймингах 8-9-8-24. Это вполне достойный показатель не только для бюджетной, но и для оверклокерской памяти. А вот модулям Team Elite и Kingston такое повышение не далось малой кровью, и функционировать они смогли лишь на таймингах 12-12-12-32, что трудно назвать хорошим результатом. А модули Silicon Power, в итоге довершили разгром соперников, тем, что смогли работать при указанных таймингах и частоте на номинальном напряжении в 1,5 вольта, а не 1,65, как предполагалось по условиям теста. Однозначная и безоговорочная победа.
Вторая дисциплина по достижению минимальных таймингов на базовой частоте в 1600 мегагерц и без повышения напряжения также покорилась именно модулям Silicon Power, хотя и с небольшим перевесом. Впрочем, тайминги 8-9-8-21 можно назвать отменными для такой частоты. Вторая группа состоящая из модулей производства Team и Kingston вновь продемонстрировала одинаковые результаты “согласившись” на тайминги 9-9-9-21. А вот Transcend вновь проявил упорство достойное лучшего применения, отказавшись работать даже на 10-10-10-26, так и оставшись истинным приверженцем своей базовой частоты и таймингов.
Тесты
Итак, результаты разгона ясны, но перед тем как переходить к заключению, давайте проверим, к каким результатам привело это повышение частот и снижение таймингов. Большое количество тестов использовать бессмысленно, так как большинство приложений практически не заметит такие изменения в конфигурации, да и потребность в пропускной способности памяти у каждого приложения разная, а потому мы решили обойтись синтетикой. AIDA 64 покажет нам какой прирост в чистой пропускной способности мы получили, и как изменились задержки. А PCMark 7, а точнее входящий в него тест Video Transcoding Downscaling оценит реальный эффект от этих изменений, так как именно к пропускной способности памяти он очень критичен.
Как видите, AIDA 64 оценила все изменения более чем адекватно, продемонстрировав большую любовь к более высоким частотам, нежели к низким таймингам. Впрочем, пара модулей Silicon Power, благодаря сочетанию минимальных таймингов и максимальной частоты, все же оказывается впереди, да и задержки он демонстрирует минимальные. Удивительно выглядят результаты модулей от Transcend, которые местами демонстрируют неплохие результаты. Видимо AIDA решила накинуть им немного “за стабильность”…
В PCMark 7 разброс результатов выше, и здесь Transcend делать уже нечего. При этом, что интересно, модули Team Elite при работе на минимальных таймингах оказались лучшими, опередив даже Silicon Power. А вот Kingston заметно отстал. Зато на максимальной частоте реванш берет Silicon Power, опережая Kingston, а модули Team оказываются лишь на третьем месте. Кстати, отметим, что этот тест явно показал, что он предпочитает меньшие задержки, нежели более высокую частоту.
Выводы
Назвать однозначного победителя теста несложно – это модули от Silicon Power, которые показали более чем достойные результаты, особенно это относится к минимальным таймингам. По своим характеристикам после разгона они оказались лучше чем большая часть оверклокерских решений одно- двухлетней давности. И это при вполне бюджетной цене. Такие модули мы, безусловно, рекомендуем к покупке.
Середняками, которые также не стоит списывать со счетов, стали Team Elite и Kingston. Причем их главным достоинством является возможность снизить тайминги на номинальных частотах. Это дает хороший эффект. Значительно лучший, чем повышенная частота при более высоких таймингах. Они также вполне достойны покупки… в том случае, если нет возможности купить Silicon Power.
Не все знают, что оперативную память недостаточно просто установить в компьютер. Её полезно настроить, разогнать. Иначе она будет давать минимально заложенную в параметры эффективность. Здесь важно учесть, сколько планок установить, каким образом распределять их по слотам, как проставить параметры в БИОСе. Ниже вы найдёте советы по установке RAM, узнаете, как правильно установить, настроить и .
Первый вопрос, возникающий при желании повысить производительность, быстродействие ОЗУ у пользователей, - возможно ли установить в компьютер модули памяти разного производства, отличающиеся частотой? Решая, как установить оперативную память в компьютер, приобретайте лучше модули одного производства, с одной частотностью.
Теоретически, если установить модули разночастотные, оперативная память работает, но на характеристиках самого медленного модуля. Практика же показывает, что зачастую возникают проблемы несовместимости: не включается ПК , происходят сбои ОС.
Следовательно, при планах установить несколько планок покупайте набор в 2 либо 4 модуля. В одинаковых планках чипы обладают одинаковыми параметрами разгонного потенциала.
Полезность многоканального режима
Современный компьютер поддерживает многоканальность в работе оперативной памяти , минимально оборудованы 2 канала. Есть процессорные платформы с трёхканальным режимом, есть с восемью слотами памяти для четырёхканального режима.
При включении двухканального режима прибавляется 5–10% производительности процессору, графическому же ускорителю - до 50%. Потому при сборке даже недорогого игрового устройства рекомендуется установка минимум двух модулей памяти.
Если подключаете два модуля ОЗУ, а плата, установленная в компьютер, снабжена 4 слотами DIMM, соблюдайте очерёдность установки. Для включения двухканального режима ставьте в компьютер модули, чередуя разъёмы платы через один, т. е. поставьте в 1 и 3 либо задействуйте разъёмы 2 и 4. Чаще удобен второй вариант, ведь нередко первый слот для ОЗУ перекрывается кулером процессора. Если радиаторы низкопрофильные, подобной проблемы не возникнет.
Проконтролировать, подключился ли двухканальный режим, сможете через приложение AIDA64. Пройдите в нём в пункт «Тест кэша и памяти». Утилита поможет вам также просчитать быстродействие RAM до разгона, понаблюдать, как изменилась память, её характеристики после процедуры разгона.
Настройка частоты, таймингов
Для разгона ОЗУ, нужно знать, как . Когда только поставите ОЗУ в компьютер, оперативка будет работать, скорее всего, на минимально возможной частоте, имеющейся в техпараметрах процессора. Максимальную частоту нужно установить, настроить через BIOS материнки, можно вручную, для ускорения существует технология Intel XMP, поддерживаемая практически всеми платами, даже AMD.
Когда поставите вручную 2400 МГц, память станет функционировать на стандартных таймингах для этой частоты, которые составляют 11-14-14-33. Но модули HyperX Savage справляются со стабильной работой при меньших таймингах на высокой частоте в 2400 МГц, такое соотношение (низкие тайминги с высокой частотностью) являются гарантией высокого быстродействия ОЗУ.
Полезная технология, разработанная корпорацией Intel - Extreme Memory Profile - позволяет избежать ручного проставления каждого тайминга, в два клика выбираете оптимальный профиль из приготовленных производителем.
Разгон памяти
Мы выше говорили, что установить, даже правильно, планки оперативки - недостаточно. Включив двухканальный, лучше четырёхканальный режим, подберите оптимальные настройки частоты, соотносимые с таймингом. Помните, прежде всего, что гарантию разгона вам никто не даст, одну память получится разогнать отлично, такую же другую - неудачно. Но не бойтесь, что память может выйти из строя, когда будете разгонять: при слишком высоко задранной она всего лишь не запустится.
Что делать, если разгон оказался неудачным? Обычно материнки снабжены функцией автоотката настроек, которую используйте, когда несколько раз после разгона компьютер не запустится. сможете также вручную, для чего примените перемычку Clear CMOS (она же JBAT).
Подбирается частота экспериментально, так же ставят напряжение питания, тайминги. Разумеется, нет гарантии, что подобранное соотношение будет лучше, чем на максимальном XMP-профиле. Часто при максимальном разгоне частоты приходится повышать тайминги.
Обязательно протестируйте утилитой AIDA64 Cache & Memory Benchmark получившийся у вас результат. Разгон может привести к падению скорости, став практически бесполезным. Обычно у низкочастотных версий потенциал выше, чем у топовых.
Установить память, её разгон - процессы несложные, особенно когда RAM поддерживает XMP-профили, уже готовые. Помните, что покупать ОЗУ на компьютер практичнее комплектом, чтобы получить прирост быстродействия от двухканального режима, не только от разгона. Советуем приобретать на компьютер низкопрофильную оперативку для избегания несовместимости, когда стоит крупноразмерный процессорный кулер. Следуйте советам, тогда сможете разогнать максимально быстродействие оперативки.
Практически все пользователи хотят добиться наибольшего быстродействия своего персонального компьютера. Неплохой способ улучшить скорость работы ПК – разогнать оперативную память. Это делается с помощью настроек BIOS вашей материнской платы. Правильный разгон имеет несколько тонкостей, и они описаны в данной статье. Далее вы узнаете, как можно разогнать свою оперативную память, как узнать результаты разгона и как определить оптимальные параметры.
Подготовка к работе
«У меня есть новая оперативная память – как узнать, что делать дальше, чтоб увеличить ее частоту?» — обычно спрашивают пользователи. Установка планок оперативки в соответствующие слоты компьютера является довольно простым делом и в данной статье не рассматривается. После того, как вы подключите – RAM заработает на минимальной скорости. Производители стараются настраивать все так, чтобы оно работало максимально надежно.
Любое повышение скорости работы компьютера – это одновременно и снижение стабильности. Правильно разогнать память — значит опытным путем определить оптимальную частоту и тайминги.
Если вам не хочется экспериментировать – можно узнать, какая сборка будет оптимальной, на тематических форумах или в специальных статьях.
Для того чтобы искать на форуме нужную информацию, необходимо узнать ответы на следующие вопросы:
- Какая у меня оперативная память?
- Что у меня за процессор?
- Какая меня установлена материнская плата?
Только после этого опытные пользователи смогут узнать оптимальные для вас конфигурации. Установленный процессор очень сильно влияет на частоту оперативки, а разные материнки могут выдавать разные показатели стабильности работы при одних и тех же настройках.
Настройки BIOS
Для того чтобы разогнать тактовую частоту каких-либо комплектующих компьютера, пользователям нужно зайти в меню конфигураций БИОС. Для этого выполните несколько простых действий, описанных в данной инструкции:
Проверка и повторная настройка
Если после попытки разогнать ПК он не запускается – значит, вы установили сильно высокие показатели. В этом случае необходимо замкнуть металлическим предметом специальный контакт Clear CMOS (JBAT), расположенный недалеко от слотов оперативной памяти, чтобы сбросить настройки. В этом случае задайте немного более приближенные к исходному профилю варианты. 
После загрузки Windows пользователям потребуется провести несколько тестов на стабильность работы компьютера. Это можно сделать с помощью бенчмарков, например, в программах Everest или AIDA64. Также попробуйте запустить наиболее требовательные видеоигры и поиграть в них несколько часов. Если никаких ошибок не возникает – значит данная сборка стабильна и можно пробовать разогнать еще. 
Загрузка...
