Шаблоны для photo card 2.

Модули памяти характеризуются такими параметрами, как объем (16, 32, 64, 128, 256 или 512 Мбайт), число микросхем, паспортная частота (100 или 133 МГц), время доступа к данным (6 или 7 нс) и число контактов (72, 168 или 184).

Модули DIP. Микросхемы DRAM упаковываются в так называемый DIP-корпус, при этом DIP обозначает Dual In-line Package (корпус с двухрядным расположением выводов). Этот термин относится к корпусам памяти, у которых выводы (Pins) расположены по бокам (напоминают жука) - рис. 3.48, а. Сам кристалл, на котором размещены ячейки памяти, существенно меньше, чем корпус. Данная конструкция корпуса обусловлена такими требованиями, как удобство печатного монтажа и установки микросхемы в панельки на системной плате, а также соблюдение температурного режима работы элементов.

Большинство модулей DIP имеют интервалы между выводами в ряду 2,54 мм (0,1"), а расстояние между рядами - 7,62 мм (0,3" - «Skinny DIP», «Тощий DIP») или 15,24 мм (0,6"). Типичное число контактов равно 8 или любому другому четному числу от 14 до 24 (реже -28) для корпусов на 0,3" и 24, 28, 32 или 40 (реже 36, 48 или 52) для корпусов на 0,6". На территории бывшего СССР используются аналогичные корпуса, но с размерами, выдержанными в метрической системе мер (например, интервал выводов 2,5 мм вместо 2,54 мм/0, Г).

Известны различные варианты корпусов DIP, в основном различающиеся материалом изготовления:

• керамические (Ceramic Dual In-line Package - CERDIP);
• пластмассовые (Plastic Dual In-line Package - PDIP);
• пластмассовые уплотненные (Shrink Plastic Dual In-line Package - SPDIP) - уплотненная версия PDIP с интервалом выводов 1,778 мм (0,07").

Важнейшими параметрами микросхем DRAM являются емкость и организация памяти. Элементы DRAM в виде отдельных микросхем обычно устанавливались на старых материнских платах. В настоящее время эти микросхемы используются в качестве составных элементов модулей памяти, таких как SIP-, ZIP-и SIMM-модули.

Информация о микросхеме в ее обозначении состоит, как правило, из нескольких полей. Первое поле содержит информацию о производителе и типе отбраковки при изготовлении микросхемы, следующее характеризует емкость, а дальнейшее - материал, из которого изготовлен корпус, и время доступа.

Например, для микросхем фирмы Mostek первые две буквы МК являются обозначением фирмы, МКВ означает, что данная микросхема фирмы Mostek отбракована согласно военному стандарту (MIL STD-833), a MKI - что микросхема прошла отбраковку в соответствии с промышленным диапазоном температур. Цифра 4 говорит о том, что микросхема является элементом DRAM. Следующая за ней цифра обозначает количество инфор-

Рис. 3.48. Внешний вид модулей памяти: а - корпус DIP-14; б - модуль SIP; в - модуль ZIP; г - разъем ZIP; д - SIMM на 72 контакта; е -DDR2 (1 Гбайт, 533 МГц) с радиатором (184 контакта и один ключ); ж - DDR SO-DIMM (РС2700, 200 контактов); з - RDRAM-модуль со

встроенным радиатором

мационных разрядов: 1 - один разряд, 4 - четыре разряда. Группа цифр, следующая далее, обозначает количество информационных разрядов в килобитах (64 - 64 Кбит, 256 - 256 Кбит, 1000 - 1 Мбит). Далее буквой указывается тип корпуса (например, Р - пластмассовый, хотя тип может быть и не указан). Через дефис указывается время доступа в наносекундах. Таким образом, по обозначению МКВ44256-70 можно легко определить, что это микросхема фирмы Mostek, прошедшая отбраковку согласно военному стандарту, имеет емкость 4-го разряда по 256 Кбит каждый и время доступа 70 нс.

SIP-модули. Микросхемы DRAM довольно легко и просто устанавливать в ПК, однако они занимают много места. С целью уменьшения размеров компонентов ПК, в том числе и элементов оперативной памяти, был разработан ряд конструктивных решений, приведших к тому, что каждый элемент памяти больше не устанавливался в отдельную панель, а совместимые элементы DRAM объединены в один модуль, выполненный на небольшой печатной плате.

Технология, реализующая такую конструкцию элементов памяти, называется SMT (Surface Mounting Technology), дословно переводимая как «технология поверхностного монтажа». Благодаря ей совместимые элементы DRAM были установлены на одной плате, что, в первую очередь, означало экономию места.

В качестве реализации технологии SMT можно назвать так называемые SIP-модули с однорядным расположением выводов (Single In-line Package - SIP). SIP-модули представляют собой небольшую плату с установленными на ней совместимыми чипами DRAM (см. рис. 3.48). Такая плата имеет 30 выводов, размеры ее в длину около 8 см и в высоту около 1,7 см.

SIP-модули устанавливаются в соответствующие разъемы на системной плате. Однако при установке и извлечении таких модулей тонкие штырьки выводов часто обламываются, и контакт между штырьком и разъемом ненадежен. Это привело к дальнейшему развитию модулей памяти и появлению SIMM-модулей.

ZIP (Zig-zag In-line Package) - недолго просуществовавшая технология интегральных схем, в частности, чипов DRAM. Она была разработана для замены DIP. Интегральная схема ZIP заключается в пластиковый корпус, обычно размером 3 х 30 х 10 мм. Выводы устройства расположены в 2 ряда на одной из сторон корпуса. Эти ряды находятся на расстоянии 1,27 мм (0,05") друг от друга в шахматном порядке, что дает возможность их более компактного размещения, чем обычная прямоугольная решетка (рис. 3.48, в, г). Корпуса схем при этом могут располагаться на плате более плотно, нежели чем при схемотехнике DIP, при том же размере. ZIP были в дальнейшем вытеснены такими конфигурациями, как TSOP (thin small-outline packages), используемых в SIMM (single-in-line memory modules) и DIMM (dual-in-line memory modules).

SIMM-модули. Когда речь идет о SIMM-модуле, имеют в виду плату, которая по своим размерам примерно соответствует SIP-модулю. Различие, прежде всего, состоит в конструкции контактов. В отличие от SIP-модуля выводы для SIMM-модуля заменены так называемыми контактами типа PAD (вилка). Эти контакты выполнены печатным способом и находятся на одном краю платы. Именно этим краем SIMM-модули устанавливаются в специальные слоты на системной плате (рис. 3.48, d). Благодаря такой конструкции SIMM-модулей существенно повышается надежность электрического контакта в разъеме и механическая прочность модуля в целом, тем более что все контакты изготовлены из высококачественного материала и позолочены.

Отказы в работе оперативной памяти чаще всего происходят не из-за повреждения SIMM-модулей, а, скорее, из-за некачественной обработки контактов разъемов на системной плате.

Кроме того, удобная конструкция SIMM-модулей позволяет пользователям самостоятельно менять и добавлять элементы памяти, не опасаясь повредить выводы.

SIMM-модули являются стандартом в современных вычислительных системах. SIMM-модули, оснащенные DRAM 41256, сегодня применяются относительно редко. Чаще SIMM-модули оборудованы микросхемами памяти общей емкостью 8, 16 и 32 Мбит. В дальнейшем на рынке появились SIMM-модули, имеющие емкость 120 Мбит и более.

В PC с CPU 80386 и ранних моделях с CPU 80486 использовались 30-контактные SIMM-модули памяти (DRAM), и число слотов на системной плате колебалось от 4 до 8. В настоящее время найти в продаже подобные модули весьма не просто. В более поздних моделях PC с CPU 80486 и Pentium стали использоваться 72-контактные SIMM-модули памяти (FPM DRAM).

DIMM-модули. В дальнейшем на многих системных платах появились слоты для 168-контактных модулей памяти DIMM (Dual In-line Memory Module). Модули DIMM обладают внутренней архитектурой, схожей с 72-контактными SIMM-модулями, но благодаря более широкой шине обеспечивают повышенную производительность подсистемы «CPU-RAM».

Для правильного позиционирования DIMM-модулей при установке в слоты на системной плате в их конструкции предусмотрены два ключа:

• первый ключ расположен между контактами 10 и 11 и служит для определения типа памяти модуля (FPM DRAM или SDRAM);
• второй ключ расположен между контактами 40 и 41 и служит для определения напряжения питания модуля (5 или 3,3 В).

DIMM-модули поддерживают, например, материнские платы на Chipset 82430VX, 82440FX, 83450KX/GX, 82430ТХ.

SO-DIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) представляет собой тип интегральных схем оперативной памяти компьютера (рис. 3.48, ж).

SO-DIMM является малогабаритной альтернативой для DIMM и обычно занимают около половины пространства, требуемого для обычных модулей DIMM. В результате SO-DIMM в основном используются в таких устройствах, как ноутбуки, небольшие настольные ПК (с платами типа Mini-ITX), высококачественные принтеры и сетевое оборудование (например, маршрутизаторы).

Модули SO-DIMM могут иметь 72, 100, 144 или 200 контактов, поддерживая передачу данных, соответственно, по 32 бита (100) и 64 бита (144 и 200). Обычные DIMM имеют по 168, 184 или 240 и все поддерживают 64-битовую передачу данных.

Различные типы SO-DIMM распознаются по размещению «ключей» - модули на 100 контактов имеют два ключа, 144-контактный SO-DIMM имеет один ключ близко к центру корпуса, 200-контактный SO-DIMM - один ключ ближе к краю корпуса.

SO-DIMM примерно соответствуют (или меньше чем) по мощности DIMM, и обе технологии SO-DIMM и DIMM обеспечивают примерно равные скорости (тактовая частота, например, 400 МГц для РС3200 и латентность CAS величиной 2,0, 2,5 и 3,0) и емкость (512 Мбайт, 1 Гбайт и пр.). Более современные модули DDR2 SO-DIMM имеют частоту до 800 МГц РС6400 и предполагается, что достигнут частоты 1066 МГц РС8500.

RIMM. С появлением Direct RDRAM (DRDRAM) в 1999 г. появляется модуль RIMM (рис. 3.49) (название - не акроним, а торговая марка Rambus Inc). Разъемы RIMM имеют типоразмеры, подобные DIMM, и могут устанавливаться в пределах той же

Рис. 3.49.

самой области системной платы, как и DIMM. Они имеют 184 штырька по сравнению с 168 для DIMM, но используют ту же спецификацию гнезда, как и стандарт DIMM на 100 МГц. BIOS ПК способен определить, какая оперативная память установлена, так что SDRAM-модули на 100 МГц должны работать в RIMM-совместимой системе. Существуют также компактные модели памяти SO-RIMM, аналогичные SO-DIMM.

Главные элементы к подсистеме памяти Rambus включают основное устройство, которое содержит Rambus ASIC Cell (RAC) и контроллер памяти (Rambus Memory Controller RMC), тактовый генератор (Direct Rambus Clock Generator DRCG), разъемы RIMM, модули памяти RIММ и модули непрерывности RIMM, а также подсистему «последовательное устройство обнаружения присутствия» (Serial Presence Detect SPD ROM).

В конечном итоге, технологии DDR, развиваясь и становясь все дешевле, практически вытеснили RDRAM - в интервале 2002-2005 гг. рыночная доля RDRAM не превышала 5 %.

FB-DIMM (Fully Buffered DIMM, полностью буферизованный DIMM) - технология, предназначенная для повышения надежности, быстродействия и емкости систем ОП. В обычных конструкциях ОП линии данных, идущие от контроллера памяти, соединяются со всеми DIMM-модулями. При возрастании электрической нагрузки (увеличение числа модулей или же разрядности памяти), а также с повышением частоты доступа проходящие сигналы начинают искажаться, что ограничивает эффективность системы в целом.

Архитектура Fully Buffered DIMM предусматривает промежуточный буфер (Advanced Memory Buffer - AM В), устанавливаемый между контроллером и модулем памяти (рис. 3.50). В отличие от параллельной шинной архитектуры для традиционных

Разъем DDR2 с уникальным ключом

До 8 модулей DIMM

«Южный путь» (10 бит)

Контроллер

Рис. 3.50. Архитектура памяти FB-DIMM

DRAM, FB-DIMM имеет последовательный интерфейс между контроллером и AM В. Это позволяет повысить разрядность памяти без увеличения количества линий контроллера памяти.

Контроллер не передает сигнал непосредственно на модуль памяти, а действует через буфер, который восстанавливает форму сигнала и передает его дальше. Кроме того, AM В может осуществлять коррекцию ошибок, разгружая от этой функции процессор и контроллер памяти. Это сопровождается, однако, повышением латентности ОП.

Существует стандарт (протокол JESD82-20), определяющий интерфейс АМВ с памятью DDR2. Канал FB-DIMM состоит из 14 битовых линий «Северного пути» («northbound»), по которым данные передаются из памяти на процессор, и 10 линий «Южного пути» («southbound»), передающих команды и данные из процессора.

Каждый бит передается на частоте, в 12 раз большей, чем базовая частота памяти (в 6 раз, если используется удвоенная скорость, DDR - DDR3). Например, для чипа DDR2-667 DRAM канал будет работать на частоте 667 х 12/2 =4000 МГц. Каждые 12 циклов образуют кадр: 168 бит «Северного пути» (144 бита данных, передаваемых 72-битовой DDR SDRAM плюс 24 бита для CRC-коррекции) и 120 бит «Южного» (98 полезных бит и 22 CRC-бита). Из 98 бит здесь 2 задают тип кадра, 24 - команда; в оставшихся битах могут содержаться (в зависимости от типа кадра) либо 72 бита записываемых данных, либо две или более 24-битовых команд, либо одна команда или более плюс 36 бит записываемых данных.

Поскольку записываемые данные подаются медленнее, чем это необходимо для ОП DDR, они накапливаются в AM В, а затем записываются в одном пакете (обычно по четыре кадра данных).

Команды соответствуют стандартным циклам доступа DRAM, например, выбор строки (/RAS), предвыборка, регенерация и пр. Команды чтения и записи содержат только адреса столбцов (/CAS) массива памяти. Все команды содержат 3-разрядные адреса FB-DIMM, что позволяет подключать до 8 модулей FB-DIMM на 1 канал.

Основная память

Основная память - это запоминающее устройство, напрямую связанное с процессором и предназначенное для хранения выполняемых программ и данных непосредственно участвующих в операциях. Она имеет достаточное быстродействие, но ограниченный объем. Основная память делится на различные виды, основными из которых являются оперативная память (ОЗУ) и постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) (рис.1).

ОЗУ предназначено для хранения информации (программ и данных), непосредственно участвующей в вычислительном процессе на текущем этапе функционирования.

ОЗУ служит для приема, хранения и выдачи информации. Именно в нем процессор «берет» программы и исходные данные для обработки, в нее он записывает полученные результаты. Название «оперативная» это память получила потому, что она работает очень быстро, так что процессору практически не приходится ждать при чтении данных из памяти и записи в память. Однако содержащие в ней данные сохраняются только пока компьютер включен. При выключении компьютера содержимое оперативной памяти стирается. Таким образом ОЗУ - энергозависимая память.

Рис. 1. Основные виды основной памяти

Часто для оперативной памяти используют обозначение RAM (random access memory, т.е. память с произвольным доступом). Под произвольным доступом понимают возможность непосредственного доступа к любой (произвольной) заданной ячейки памяти, причем время доступа для любой ячейки одинаково.

Основу ОЗУ составляют большие интегральные схемы, содержащие матрицы полупроводниковых запоминающих элементов (триггеров). Запоминающие элементы расположены на пересечении вертикальных и горизонтальных шин матрицы; запись и считывание информации осуществляется подачей электрических импульсов по тем каналам матрицы, которые соединены с элементами, принадлежащими выбранной ячейке памяти.

От количества установленной в компьютере оперативной памяти зависит не только возможность работать с ресурсоемкими программами, но и его производительность, поскольку при нехватке памяти в качестве ее логического расширения используется жесткий диск, время доступа к которому несравненно выше. Кроме объема ОП на производительность компьютера влияют также ее быстродействие и используемый способ обмена данными между микропроцессором и памятью.

ОП реализуется на микросхемах DRAM (динамическая ОП), характеризующейся по сравнению с другими разновидностями памяти низкой стоимостью и высокой удельной емкостью, но большим энергопотреблением и меньшим быстродействием. Каждый информационный байт (0 и 1) в DRAM хранится в виде заряда конденсатора. Из-за наличия токов утечки заряд конденсатора необходимо с определенной периодичностью обновлять. Из-за непрерывной потребности обновления такая память и называется динамической. Регенерация содержимого памяти требует дополнительного времени, а запись информации во время регенерации в память не допускается.

Стоимость оперативной памяти в последнее время резко упала (с лета 1995 до лета 1996 г. - более чем в 4 раза), поэтому большие запросы многих программ и операционных систем к оперативной памяти с финансовой точки зрения стали менее обременительны.

Для ускорения доступа к оперативной памяти на быстродействующих компьютерах используется стабильная сверхбыстродействующая КЭШ-память, которая располагается, как бы «между» микропроцессором и оперативной памятью и хранит копии наиболее часто используемых участков оперативной памяти. При обращении микропроцессора к памяти сначала производится поиск нужных данных из КЭШ-памяти. Поскольку время доступа к КЭШ-памяти в несколько раз меньше, чем к обычной памяти, а в большинстве случаев необходимые микропроцессору данные уже хранятся в КЭШ-памяти, среднее время доступа к памяти уменьшается. КЭШ-память реализуется на микросхеме SRAM (статическая ОП).

Для компьютеров на основе Intel-386DX или 80386SX размер КЭШ-памяти в 64 Кбайт является удовлетворительным, а 128 Кбайт вполне достаточным. Компьютеры на основе Intel-80486DX, DX2, DX4 и Pentium обычно оснащаются КЭШ-памятью емкостью 256 Кбайт.

Микропроцессоры серий 486 и Pentium содержат небольшую внутреннюю КЭШ-память, поэтому для однозначности терминологии иногда в технической литературе КЭШ-память, размещаемую на системной плате, называют КЭШ-памятью второго уровня.

В микропроцессоре Pentium Pro КЭШ-память второго уровня содержится в едином корпусе с самим процессором (можно сказать она встроена в микропроцессор).

Не обязательно иметь всю память, информация в которой должна меняться. Часть наиболее важной информации лучше постоянно хранить в памяти компьютера. Эту память называют постоянной. Данные в постоянную память занесены при ее изготовлении. Как правило, эти данные не могут быть изменены, выполняемые на компьютере программы могут только их считывать. Такой вид памяти обычно называют ROM (read only mеmory, или память только для чтения), или ПЗУ (постоянное запоминающее устройство).

В IBM PC - совместимом компьютере в постоянное памяти хранятся программы для проверки оборудования, компьютера, инициирования загрузки операционной системы (ОС) и выполнения базовых функций по обслуживанию устройств компьютера. Поскольку большая часть этих программ связана с обслуживанием ввода-вывода, часто содержимое постоянной памяти называется BIOS (Basic Input - output System, или базовая система ввода -вывода).

Во многих компьютерах устанавливается BIOS на основе ФЛЕШ-памяти. Такая память может быть изменена программами, что позволяет обновлять BIOS с помощью специальных программ, без замены материнской платы или микросхемы BIOS.

Во всех компьютерах, кроме очень старых, в BIOS содержится также программа настройки конфигурации компьютера (SETUP). Она позволяет установить некоторые характеристики устройств компьютера (типы видеоконтроллера, жестких дисков и дисководов для дискет, часть также режимы работы с оперативной памятью, запрос пароля при начальной загрузке и т.д.). Как правило, программа настройки конфигурации вызывается, если пользователь во время начальной загрузки нажмет определенную клавишу или комбинацию клавиш (чаще всего клавишу Del).

Емкость ФЛЕШ-памяти от 32 Кбайт до 2 Мбайт, время доступа по считыванию 0,06 мкс, время записи одного байта примерно 10 мкс; ФЛЕШ-память - энергонезависимое ЗУ.

Кроме обычной оперативной памяти и постоянной памяти, в компьютере имеется небольшой участок памяти для хранения параметров конфигурации компьютера. Его часто называют CMOS-памятью, поскольку эта память обычно выполняется по технологии CMOS (complementary metal-oxide semiconductor), обладающей низким энергопотреблением. Содержимое CMOS-памяти не изменяется при выключении электропитания компьютера, поскольку для ее электропитания используется специальный аккумулятор.

Таким образом, емкость основной памяти состоит из миллионов отдельных ячеек памяти емкостью 1 байт каждая. Общая емкость основной памяти современных ПК обычно лежит в пределах от 1 до 4 Гбайт. Емкость ОЗУ на один два порядка превышает емкость ПЗУ: ПЗУ занимает на новых системных платах до 2 Мбайт), остальное объем ОЗУ.