DDR3 или DDR4? Какая память помнит быстрее? Разница между памятью DDR3 и DDR3L.

За последние несколько лет мобильные процессоры сделали большой шаг в развитии, благодаря чему на рынке сохраняется довольно высокая популярность ноутбуков, неттопов и других компактных конфигураций. Поэтому вполне логично, что у многих пользователей возникает вопрос: «Зачем покупать громоздкий и шумный ПК, если можно обойтись тихим и компактным вариантом системы?». Особенно это актуально для тех, чей круг задач ограничивается серфингом в интернете, работой с офисными приложениями и просмотром фильмов.

Однако, как и любой другой конфигурации, компактной системе также необходимо быть сбалансированной. То есть ее компоненты не должны ограничивать возможности друг друга. Причем это касается абсолютно всех комплектующих, в том числе и оперативной памяти. Как правило, над ее выбором редко когда задумываются, ошибочно предполагая, что все комплекты одинаковые. Но, как и полноразмерные модули памяти, их компактные аналоги отличаются объемом, эффективной частотой работы и набором задержек. Все эти характеристики в большей или меньшей степени влияют на общую производительность системы. Поэтому исследование возможностей наборов оперативной памяти для компактных систем также является довольно актуальной задачей, особенно в наше время.

В данном обзоре мы познакомимся с комплектом DDR3L-1600 Transcend TS512 MSK64 W6 H . Его модули принадлежат к энергоэффективной серии, то есть способны работать при пониженном напряжении. Учитывая, что большинство компактных систем питаются от внешних адаптеров мощностью до 100 Вт, то перед их комплектующими ставятся более жесткие требования в плане энергопотребления. Если же говорить о ноутбуках, то энергоэффективность компонентов и вовсе является чуть ли не определяющим фактором.

Спецификация:

Упаковка и внешний вид модулей

Комплект DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H состоит из двух модулей, каждый из которых поставляется в отдельном пластиковом пакете. Такая упаковка обеспечивает их надежную защиту от пробоя статического электричества. При установке модулей также необходимо принять меры для предотвращения разряда статического электричества, о чем напоминает надпись на наклейке.

Память DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H принадлежит к типу SO-DIMM. По сравнению с обычными планками, SO-DIMM-модули уменьшены в размерах, так как зачастую используются в компактных устройствах: ноутбуках, неттопах и мини-компьютерах, построенных на основе материнских плат формата Thin-ITX / Mini-ITX. Длина модуля составляет всего лишь 67,6 мм, а высота - 30 мм.

Сами планки выполнены на текстолите зеленого цвета, с обеих сторон которого прикреплено по 4 чипа памяти. Отдельной системы охлаждения здесь не предусмотрено, что объясняется, во-первых, жестким ограничением размеров, а во-вторых - малым нагревом во время работы. Ведь изначально на память DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H подается пониженное напряжение питания 1,35 В.

Во время тестирования комплекта под продолжительной нагрузкой температура модулей составила 40,5°С, что примерно на 10°С ниже, чем у полноразмерных планок стандарта DDR3, работающих при напряжении 1,5 В. Как видим, разница довольно существенная. На всякий случай отметим, что согласно спецификации, максимальная температура воздуха, при которой набор DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H разрешается эксплуатировать, составляет 95°С.

Память каждого модуля набрана с помощью 8-ми чипов объемом 512 МБ каждый, производства компании Micron. На одной планке используются микросхемы с маркировкой D9QVG, а на второй - , которые отличаются между собой только ревизией. Судя по официальной документации, установленные чипы имеют скрытый потенциал. Поскольку среди прочих режимов работы числится и DDR3-1866 при таймингах 13-13-13. Иными словами, вместо заявленных 1600 МГц модули памяти DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H теоретически могут функционировать и на частоте 1866 МГц.

Идентифицировать микросхему SPD EEPROM по маркировке «4026 8305» не удалось.

На наклейке, обнаруженной на модулях памяти, имеется минимум информации. Указаны лишь эффективная скорость работы (1600 МГц), объем одного модуля (4 ГБ) и его конфигурация (1 ранг х 8 банков).

Более полную техническую информацию, как всегда, можно получить с помощью специальных утилит. Мы отказались от использования популярных программ AIDA64 и CPU-Z, так как они интерпретируют информацию из SPD по старому алгоритму и не всегда корректно. Чтобы избежать появления возможных неточностей, было решено задействовать утилиту Thaiphoon Burner, разработанную специально для диагностики модулей памяти. Ниже подан полный отчет о технических характеристиках модулей из комплекта памяти DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H.

Отметим возможность работы как при напряжении 1,35 В, так и при 1,5 В, вследствие чего значительно увеличивается их совместимость с доступными на рынке устройствами.

Тестирование

Для проведения тестов мы использовали такую конфигурацию стенда:

Оппонентом в тестировании выступал набор памяти DDR3-1333 TwinMOS 9DECBMIB объемом 4 ГБ (2 х 2 ГБ). Оба комплекта проходили тестирование в следующих режимах работы:

Анализ полученных графиков показал, что изменение параметров оперативной памяти влияет на быстродействие предложенной системы. Бенчмарк AIDA64 наглядно демонстрирует, что с увеличением скорости работы модулей существенно растет скорость копирования / записи / чтения из памяти. При переходе с частоты 1333 МГц на 1600 МГц эти показатели увеличились на 19% / 17% / 17% соответственно, а по сравнению со скоростью 1066 МГц прирост уже составлял 47% / 52% / 46%.

В остальных тестах увеличение производительности системы было значительно ниже и составляло примерно 3-10%. Что касается игровых приложений, то, несмотря на использование встроенного графического ядра, они практически никак не «отреагировали» на увеличение скорости памяти.

Если же сравнивать модули DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H и DDR3-1333 TwinMOS 9DECBMIB, то оба комплекта шли «ноздря в ноздрю» и во всех тестах в одинаковых режимах работы демонстрировали сопоставимые результаты.

Разгон

Поскольку материнская плата Intel DQ77KB не позволяет поднять частоту оперативной памяти выше 1600 МГц, мы решили провести оптимизацию параметров модулей DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H на уровне задержек.

При той же скорости работы (1600 МГц) стандартный набор таймингов 11-11-11-28 был изменен на 10-10-10-25. Правда, при этом пришлось увеличить напряжение питания с 1,35 до 1,5 В.

На быстродействии системы такие манипуляции с параметрами памяти сказались следующим образом.

Средний прирост производительности составил всего лишь 1,84%, что, конечно же, не много. В реальных приложениях эта прибавка останется незамеченной и практически никак не повлияет на скорость выполнения подавляющего большинства задач. Исключением являются лишь некоторые игры и синтетические тесты.

Частота 1600 МГц, задержки - 11-11-11-28

Частота - 1600 МГц, задержки - 10-10-10-25

Как подтверждение этой мысли приводим результаты из оверклокерского бенчмарка SuperPi (32M), снятые до и после разгона оперативной памяти. Как видим, время прохождения теста немного улучшилось.

Чтобы убедиться в стабильности функционирования модулей после оптимизации параметров их работы, было использовано стандартное средство проверки памяти операционной системы Windows 7. После 36-ти циклов теста никаких ошибок не выявлено, что позволяет говорить об удачном разгоне и стабильной работе всей системы. Во время прохождения эксперимента мы также решили измерить температуру модулей памяти, которая составила 42,2°С. Это всего лишь на 1,7°С больше, чем в номинальном режиме работы.

Выводы

Если вы хотите собрать компактную, но в тоже время и производительную систему, или обновить игровой ноутбук, то комплект памяти DDR3L-1600 Transcend TS512 MSK64 W6 H будет отличным вариантом для этих целей. Он обеспечит объем 8 ГБ, что позволит держать в памяти одновременно несколько приложений или свернутую игру и быстро переключаться между ними. Эффективная частота модулей DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H составляет 1600 МГц, благодаря чему в некоторых случаях можно будет получить хоть и небольшое, но все же преимущество над аналогами, работающими на скорости 1333 МГц. При этом поддерживается напряжение питания 1,35 В и 1,5 В, что улучшает совместимость с компонентами системы, а также расширяет возможности памяти в плане оптимизации ее параметров. Как показала практика, даже простым понижением задержек можно в некоторых играх добиться 5%-ого прироста производительности (при использовании встроенного графического ядра). Однако никто не мешает вам производить разгон и по частоте, тем более что установленные здесь чипы Micron D9QVG / D9QBJ официально поддерживают скорость 1866 МГц.

Transcend за предоставленный для тестирования комплект памяти.

Выражаем благодарность компании Intel за предоставленное для тестового стенда оборудование.

Статья прочитана 16070 раз(а)

Современный рынок компьютерных комплектующих развивается столь стремительно, что даже продвинутые пользователи не успевают понять, в чем различие той или иной технологии, как уже появляется новая. Точно такая же ситуация с модулями оперативной памяти. Недавно еще все обсуждали преимущества "тройки" перед стандартной "двойкой", как уже появилась и "четверка", и улучшенная "тройка" с литерой L. Забраться в такие дебри IT-индустрии и не свернуть себе шею в хитросплетениях терминов и технологий может только очень подкованный в этой теме человек. Но нужно разобраться, какая разница между DDR3 и DDR3L. Начнем с истоков.

Суть стандарта DDR3

В отличие от устаревшей "двойки" в третьей версии емкость микросхем увеличена. Теперь она составляет 8 бит. Это не могло не сказаться положительно на производительности. Также вырос минимальный объем модулей - теперь он составляет 1 гигабайт. Меньше просто невозможно. Разница между DDR3 и DDR3L, которую мы рассмотрим чуть ниже, несущественна. Тут больше разницы между "двойкой" и "тройкой". И она заметна невооруженным глазом. Кстати, и энергопотребление снизилось, что сделало данный тип памяти более подходящим для мобильных компьютеров (ноутбуков).

"Тройка" - стандарт далеко не новый. Поэтому особо радоваться здесь нечему. DDR4 гораздо производительнее. Но, тем не менее, именно этот тип памяти наиболее распространен в наше время. DDR3 и DDR3L, разница в которых не так уж существенна, - однотипные модули. Но разобраться в том, что их отличает, стоит хотя бы для самообразования. Что ж, теперь рассмотрим характеристики "тройки" с литерой L.

DDR3L. Что нового?

По сути, в этой памяти все стандартно. Как в обычной "тройке". Но есть одно существенное различие - энергопотребление. В 3L оно равно 1,35 В. Для сравнения, обычная "тройка" потребляет 1,50 В. Это весьма существенно, если говорить о ноутбуках, нетбуках и ультрабуках, то есть о мобильных компьютерах. В их случае энергопотребление играет решающую роль, так как им нужно довольно продолжительное время работать от аккумулятора. Этим и отличаются DDR3 и DDR3L. Разница не такая уж заметная, но существенная.

В последнее время производители мобильных компьютеров используют только энергоэффективные модули "тройки". Поэтому стало возможно заставить ноутбуки работать от батареи дольше, чем это было раньше. Хоть показатели не особо и отличаются. DDR3 и DDR3L, разница в которых тут рассматривается, на данный момент самые приемлемые варианты для персональных компьютеров и ноутбуков. Теперь рассмотрим наиболее популярные модели.

Kingston 4GB DDR3 PC3-10600

Этот модуль прекрасно подходит для ноутбуков среднего ценового сегмента. Он работает на частоте 1333 мегагерц, рабочее напряжение составляет 1,35 В. Это и DDR3, и DDR3L, разница между которыми не особо существенна, в одном флаконе. Объем данной оперативной памяти составляет 4 гигабайта, что вполне достаточно для работы и графических приложений. Мультимедиа тоже будет работать отлично. Этот модуль выглядит идеальным по соотношению "цена-качество".

Как обычно, Kingston радует пользователей быстрой и качественной оперативной памятью. Но не стоит забывать и о практичности. Дело в том, что эта оперативка стоит довольно прилично по сравнению с ее техническими характеристиками. Поэтому ее покупка представляется сомнительной с точки зрения практичности. Нужно дважды подумать перед тем, как покупать сей модуль памяти. А в остальном - это отличная и долговечная оперативка, коих мало на современном рынке.

Samsung 4GB DDR3 PC3-12800

Еще один модуль из самого среднего ценового сегмента. Эта оперативная память работает уже на частоте 1600 мегагерц и может даже использоваться для игр. Особенно производителен тандем из двух модулей такой памяти. Имеются "планки" DDR3 и DDR3L, разница между которыми-таки есть. Как и вся техника этой компании, модули памяти отличаются высочайшим качеством и непревзойденной надежностью. В настоящее время - это одни из лучших модулей на современном рынке компьютерных комплектующих.

Компания Samsung хорошо известна качественными смартфонами и другими устройствами. Но вот модули оперативной памяти ее специалисты могли бы сделать и получше. В них нет и тени легендарного корейского качества. Но работает память хорошо. Хоть и не выглядит особо крепкой или надежной. Кстати, она очень болезненно переносит разгон. Вплоть до самых печальных последствий. Так что подвергать ее подобной процедуре не стоит. Итак, продолжим. DDR3L и DDR3. Какая разница между ними?

Crucial 4GB DDR3 PC3-12800

Еще один бюджетный модуль оперативной памяти стандарта 3L. Его рабочая частота составляет 1600 мегагерц. Рабочее напряжение - 1,35 В. Это стандартно для энергоэффективной памяти. Более ничем выдающимся этот модуль памяти не отличается. Вот только в двухканальном режиме он работает гораздо лучше своих предшественников. Два таких модуля способны заметно поднять производительность любого лэптопа. И в этом их главная заслуга. Стоит эта недорого. Поэтому она и является самой распространенной.

Это легендарный производитель модулей оперативной памяти. Все помнят его высокопроизводительные модели для геймерских компьютеров. Но и в бюджетном сегменте Crucial не ударили в грязь лицом. Модули получились производительными, надежными и энергоэффективными, что немаловажно для владельцев ноутбуков. Приятно, что легендарный производитель, наконец, развернулся лицом к любителям лэптопов.

Заключение

Итак, мы рассмотрели типы памяти DDR3 и DDR3L. Разница в них хоть и несущественная, но есть. И если вы когда-нибудь захотите поменять в своем ноутбуке оперативную память, то обязательно приобретайте энергоэффективный тип. Сегодня любой производитель компьютерных комплектующих производит такую оперативную память. Выше перечислены самые популярные и надежные модели. Но это ведь далеко не все.

Оперативная памяти типа DDR собрана по стандартам DIMM , который собственно является ее предшественником. Информация может передаваться и по фронту и по спаду благодаря тому, что платформа оснащена микросхемами и транзисторами собранными в TSOP BGA . Информация может передаваться в двойном размере за один такт, все благодаря внедрению новой архитектуры компьютеров 2n Prefetch.

Среди компьютерных технологий, постоянно появляется что-то новое. Теперь микросхемы для модулей типа DDR3 изготавливаются исключительно в корпусах вида BGA . Благодаря этому удалось улучшить транзисторы и появились модели, обладающие двойным затвором.

Особенности памяти DDR3

Планки оперативной памяти бывают от 1 гигабайта до 16 гигабайт, а частота памяти может варьироваться от 100 до 300 МГц. Если говорить о шине, то от 400 до 120 МГц .

Более-менее нормальное значение частоты шины 1066 – 1600 МГц . Если она увеличивается, то и потребление энергии вместе с ней. Если частота будет 2400, то планки нагреются и будут очень горячими. Чтобы этого не было — устанавливается пассивное охлаждение .

Еще потребление энергии может возрасти, если будет разгоняться компьютер. Это происходит благодаря преобразованиям, используемым внутри планок DDR3 напряжения Vddr.

В структуре памяти этого вида находится 8 банков памяти , а строка ее чипа величиной 2048 байт . Это строение влечет за собой приличные тайминги в работе ОЗУ и снижает скорость переключения между чипами.

Конструкция планок DDR3L практически не отличается от DDR3. Они также оснащены 240 контактами и обладают такими же размерами, кроме высоты.

Также, данный вид оснащен системой пассивного охлаждения, что позволяет ее разгонять , увеличивает производительность, так как повышается потребление энергии. Модуль памяти не выйдет из строя раньше, чем положено, так как тепло будет рассеиваться и не произойдет перегрев.

Стоит отметить, что с 2012 года на рынке можно встретить модификации этой памяти, разработанные для смартфонов DDR3L-RS.

В маркировке памяти, L – это Low , то есть, низкое потребление энергии. В отличии от DDR3 данный вид памяти требует источник, напряжение которого 1,35 В. Это на 10-15% меньшем чем DDR3 и на 40% меньшем чем DDR2. Благодаря тому, что тепла выделяется меньше, то и пассивное охлаждение не нужно, а это сокращает тайминги и делает работу стабильнее и производительнее. Все остальные характеристики ничем не отличаются от DDR3.

DDR3L нельзя заменить на DDR3 т.к. установка в слот для первого типа приведет к несовместимости и запуск не произойдет. Но в обратном порядке возможна замена, однако плата может нагреваться, так как DDR3 требует больше энергии.

В чем отличие DDR3 и DDR3L

Как мы уже и говорили, DDR3L отличается размерами , но незначительно. Далее она потребляет меньше энергии на 15 процентов и выделяет мало тепла. Благодаря этому производительность намного больше, а тайминги меньше. Работает этот тип стабильнее и в разы быстрее.

Оперативно запоминающее устройство (ОЗУ) – модуль временной памяти, который используется в компьютерной архитектуре для хранения определенного набора команд и информации. обеспечивает стабильную и надежную работу операционной системы и запущенных программ и приложений.

С развитием технологий оперативная память постоянно усовершенствовалась: увеличивались ее объем и производительность. Современный тип ОЗУ DDR3 является модернизированной версией своего «предка», который пришел на смену оперативной памяти типа DIMM в далеких 90-х годах.

Конструкция DDR

Прежде чем определять различия между DDR3 и DDR3L следует ознакомиться с конструкцией ОЗУ типа DDR. Оперативная память собрана на форм-факторе своего предшественника DIMM. Платформу оснастили микросхемами, которые собираются в корпусах TSOP BGA и транзисторов, благодаря чему передача информации осуществлялась как по фронту, так и спаду. Осуществление двойной передачи данных за один такт стало возможным за счет реализации в компьютерной архитектуре технологии 2n Prefetch.

Развитие компьютерных технологий и внедрение в производство инновационных привело к тому, что микросхемы для модуля оперативного запоминающего устройства типа DDR3 стали изготавливаться только в корпусах BGA. Это же способствовало модернизации транзисторов, и появились новые модели с двойным затвором Dual-gate. Применения данной технологии позволило сократить величину токов утечки и повысить производительность ОЗУ. Так в ходе своего развития энергопотребление блока памяти снижалось: DDR – 2,6 В, DDR2 – 1,8 В и DDR3 – 1,5 В.

Внимание! Модули памяти типа DDR2 и DDR3 не совместимы и не взаимозаменяемы по механическим и электротехническим показателям. Защита от установки планки оперативной памяти в несоответствующий слот (разъем) реализована за счет расположения ключа в разных местах модуля.

Особенности оперативной памяти DDR3

Планки ОЗУ выпускаются от 1 ГБ до 16 ГБ, а частота памяти может находиться в диапазоне 100 – 300 МГц, а шины от 400 до 120 МГц. В зависимости от частоты шины оперативная память DDR3 обладает разной пропускной способностью:

• DDR3-1600 – от 2400 до 2500 МБ/сек;
• DDR3-1866 – от 2800 до 2900 МБ/сек;
• DDR3-2133 – от 3200 до 3500 МБ/сек;
• DDR3-2400 – от 3400 до 3750 МБ/сек.

Оптимальными значениями частоты шины оперативно запоминающего устройства являются 1066 – 1600 МГц. При увеличении частоты возрастает энергопотребление модуля памяти вплоть до 1,65 В при частоте шины 2400 МГц. Подобное явление ведет за собой нагрев планок и обильное выделение тепловой энергии. Для устранения подобного недостатка высокопроизводительные платы ОЗУ оснащаются системой пассивного охлаждения, т. е. радиаторами из алюминиевого сплава, которые устанавливаются двустороннюю липкую ленту-термоинтерфейс.

Также повышение энергопотребления может осуществляться при разгоне компьютера или выполнении определенных действий (операций). Это осуществляется внутренними преобразователями за счет использования в планках оперативной памяти DDR3 напряжения Vddr. Следует помнить, что это также ведет к излишнему выделению количества тепла.

Внимание! Выделение количества тепловой энергии выше установленного значения приводит к снижению общей производительности компьютера, появлению «зависания» и «тормозов» операционной системы и выполняемых программ.

Структура DDR3 насчитывает 8 банков памяти, а величина строки ее чипа составляет 2048 байт. Подобное строение, а также недостатки технологии SSTL, из-за которой возможны утечки токов появляются длинные тайминги в работе оперативно запоминающего устройства. Это также приводит к относительно медленному переключению между чипами памяти.

Особенности оперативной памяти DDR3L

По своей конструкции планки оперативной памяти DDR3L аналогичны DDR3. Они имеют те же 240 контактов, габаритные размеры одинаковые за исключением высоты она равна 28 – 32,5 мм против 30,8 мм у DDR3. Подобная разница обуславливается наличием радиаторов в зависимости от модели и фирмы производителя устройства.

Оснащение оперативной памяти DDR3L системой пассивного охлаждения предусматривает возможность ее разгона и увеличения производительности за счет увеличения энергопотребления. Подобное решение позволяет эффективно выполнять отвод и рассеивание обильно выделяемой тепловой энергии для и предотвращения перегрева и преждевременного выхода из строя модуля памяти. Размеры ОЗУ, устанавливаемые в , сопоставимы со стандартными платами DDR3. Большая часть подобных модулей памяти на компьютерном рынке представлена в исполнении с отсутствием радиаторов охлаждения. Подобное решение сводится к тому, что данный класс ПК малопригоден к модернизации и разгону.

Внимание! В начале 2012 года на рынке появилась разновидность данной модификации оперативно-запоминающего устройства DDR3L-RS, она специально разработана под смартфоны.

Индекс «L» в маркировки ОЗУ DDR3L означает Low – сниженное энергопотребление. Данная модификация оперативной памяти в сравнении с DDR3 нуждается в источнике питания, напряжение которого составляет 1,35 В. Данная модернизация приводит к сокращению энергопотребления на 10 — 15% в сравнении с DDR3 и до 40 % относительно DDR2, снижению величины нагрева устройства. То есть уменьшенное выделение тепла предусматривает возможность отказа от пассивного охлаждения и приводит к сокращению таймингов, повышению производительности и стабильности в работе устройства. Остальные технические характеристики оперативной памяти типа DDR3L сопоставимы с ее «прародителем» DDR3.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 на DDR3L может осуществляться только в обратном порядке. Поскольку установка ОЗУ DDR3 в слот под оперативную память DDR3L приведет к не совместимости по электрическим параметрам и ее запуск не осуществится. Обратная замена возможна, но повышенное значение напряжения под DDR3 может привести к нагреву платы оперативной памяти DDR3L.

Как выбрать оперативную память: видео

Большая часть компьютерных составляющих являются настолько сложными, что разобраться с тем, чтоони собой представляют, порой не могут даже более-менее продвинутые пользователи. Некоторые нюансы связаны также и с такими понятиями, как: DDR3 и DDR3L.

Под словами DDR, главным образом подразумевают такой тип компьютерной памяти, который массово используется в вычислительной технике в роли оперативной, либо-же видеопамяти. В настоящий момент времени предусмотрено сразу-же несколько разновидностей этой компьютерной составляющей.Некоторое время тому назад, активно пользовались DDR2, об существование которой, заявили в далеком 2003 году. В качестве некой основы, здесь используется передача данных по обоим срезам тактового сигнала. Именно благодаря ему, можно удвоить скорость передачи данных. Этот параметр объединяет его вместе с намного менее востребованными DDR1. Ну а вот тем параметром, который их между собой отличает является то, что работает новый тип памяти на частоте, что вдвое больше стандартной.

При всем этом, для того, чтобы существовала возможность обеспечить достаточно большой поток данных, их передача на шину, в одно и то самое время, осуществляется сразу-же из четырех мест. В настоящий момент времени, наиболее продвинутым стандартом памяти считается DDR3, об существование которого, впервые упомянули в 2010 году.

DDR3, являет собой синхронную динамическую память, которая имеет возможность похвастаться наличием произвольного доступа и удвоенной скоростью передачи данных, соответственно, этот тип памяти, относится к третьему поколению. В случае с ней, размер предпокачки увеличивается с 4 до 8 бит, что довольно таки существенно, согласитесь ведь. Его отличительной особенностью является то, что в случае с ней, потребление энергии является гораздо меньше, нежели в случае с модулями,присутствующими в DDR2. Обуславливается такое положение дел тем, что в DDR3, такой показатель составляет 1,5 В.


Возможно некоторым из вас это покажется весьма странноватым, но снижение напряжения питания, имеет место быть, благодаря тому, что в DDR3, предусмотрен уникальный техпроцесс, ключевым этапом которого должно считаться применение транзисторов, располагающих двойным затвором Dual-gate. Последний, кстати говоря, способствует существенному снижению токов утечки. Микросхемы производятся только в тех корпусах, которые принадлежат к типу BGA. Самой маленькой емкостью модулей памяти DDR3, должно составлять не меньше 1 Гб . Что касается максимальной емкости, то она гораздо выше, так как составляет 16 ГБ.

Помимо стандартной разновидности данного типа памяти, известно об существование DDR3L, в случае с которым,предусмотрен намного более низкий показатель напряжения. В нем этот показатель равняется 1,35 В. Ну а это, меньше традиционного для DDR3 на 10%.


В частности хотелось бы остановится на DDR3L. Преимущественное большинство производителей,ответственных за изготовление памяти такого типа, делают свой товар таким образом, чтобы он состоял из двух модулей. Каждый из них поставляется в отдельном пластиковом пакете, который в свою очередь, обеспечивает их надежную защиту от возможного пробоя статического электричества. Кстати говоря, для того, чтобы все прошло должным образом, вам следовало бы предусмотреть то, что вовремя осуществления установки соответствующих модулей, необходимы сделать все возможное для того, чтобы предотвратить разряд статического электричества.

Некоторые отличия предусмотрены также и в их маркировки . Так, к примеру, в случае с DDR3L, памятью для персональных компьютеров,будет использована маркировка PC3L . Принято считать, что этот стандарт, способен обеспечить более низкое энергопотребление и ввиду того, что сейчас в моду вошла экологичность, нету ничего удивительного в его необыкновенной популярности.

Чем отличаются типы оперативной памяти DDR3 и DDR3L?

Для того, чтобы подытожить все вышесказанное, считаем должным отметить то, что главное отличие двух этих типов памяти, сводится к их таймингам . Кроме этого, отличаются они также и своим стандартным напряжением. Так, в том случае, если у DDR3 этот показатель составляет 1.5 Вольта, то в DDR3L он снижен уже до 1.35 Вольта. Не следовало бы путать эти понятия также и с DDR3U, в котором предусмотрено сразу-же 1.25 Вольта.